热等静压(HIP)技术在Si3N4陶瓷的应用
Si3N4陶瓷是最主要且应用最广的工程陶瓷材料之一。由于Si3N4陶瓷材料自身几乎不可能烧结成制品,故在生产Si3N4陶瓷制品时都加入一定数量的烧结助剂如:MgO、Al2O3、Y2O3等。由于烧结助剂与Si3N4表面SiO2形成低熔点共晶而进行液相烧结,α Si3N4粒子溶于液相后,从液相析出针状β Si3N4,这样的组织结构有利于提高Si3N4陶瓷材料的力学性能,因而常压烧结Si3N4制品在80年代后得到广泛的应用。为进一步提高材料的力学性能,近年来大多采用低压HIP烧结技术(又称为气压烧结———GPS),且在加压工艺上各国都进行了大量研究。
清华大学采用先在1800℃、0 1MPa下烧结2h(材料中含5%Y2O3、3%Al2O3及5%TiC(质量分数)),然后在1900℃、10MPa下烧结2h的工艺,得到了抗弯强度为714MPa,断裂韧性为7 4MPa·m1/2的材料。上海材料所认为,最好的工艺是先在1850℃及1MPa下烧结0 5~2h,然后进行高压处理(温度为1750~1850℃,压力为150MPa[4])。对HIP高压处理致密化的机理研究表明,虽然制品的密度随HIP处理温度的提高而提高,但若预烧工艺选择不当,也可使其中心部位的致密化受到影响。澳大利亚学者与中国学者的研究结果表明[5],若在0 1~1MPa及1750℃下烧结1h,然后再立即加压至100MPa并保持1h,则可以得到很细的晶粒。他们对Si3N4/SiC·ZTA·Mg-AT(Mg-Al钛酸盐)等又进行了一系列的试验,得到了同样的结论。关于在高压下Si3N4晶粒细化的原因,被认为是由于致密化在更低的温度(α-Si3N4完成转变为β Si3N4的温度降低至1400℃)下进行所致。
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